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NAND Flash市況復蘇緩慢,又一家大廠要減產?

2023-08-10 17:09:39來源:與非網  

半導體下行周期之際,AI大勢下HBM發展風生水起,并為DRAM市場注入了活力。與之相比,NAND Flash市場需求持續萎縮。為應對需求“寒冬”,多家存儲廠商今年表態將持續減產并縮減支出,NAND Flash成為被調整的重點領域。

近期,閃存大廠鎧俠在最新財報中表示,將配合需求動向進行減產。


(資料圖片僅供參考)

減產、推遲投產?鎧俠也出手了

8月9日NAND Flash大廠鎧俠公布上季(2023年4-6月)財報,由于智能手機等產品需求低迷,NAND Flash市況持續惡化,價格下跌,受此影響,該季鎧俠營收2511億日元(約億美元),同比減少32%。

鎧俠指出,因市況復蘇緩慢,將持續配合需求動向進行減產以及管控營銷費用,且為了維持競爭力、將持續進行次世代產品研發以及降低成本等措施。

另據共同社報道,為應對需求惡化,鎧俠在日本巖手縣北上市的北上工廠新建的廠房將推遲到2024年以后投入使用。該廠原計劃在2023年內投產,鎧俠公關負責人稱新建廠房的大部分施工將在2023年內結束,同時也表示:“投產時間未定。將在對需求動向進行詳細調查后再做判斷。”

稍早之前,SK海力士與三星也做出了減產NAND Flash的決定。SK海力士認為,與DRAM庫存去化速度相比,NAND閃存的去庫存速度相較緩慢,因此決定擴大NAND產品的減產規模。

三星電子存儲事業部執行副總裁Jaejune Kim在財報電話會議上提到,三星將延長減產行動,并對包括NAND閃存芯片在內的某些產品進行額外的產量調整。

豪賭未來,存儲大廠先進技術蓄勢待發

關于市場動向及今后展望,鎧俠指出,各家NAND Flash廠商擴大生產調整(減產)范圍、供需平衡逐步改善,在客戶去化庫存以及PC、智能手機的存儲搭載量增加背景下,預估NAND Flash需求將逐步復蘇,價格下跌情況也將隨著供需平衡改善而放緩。

鎧俠表示,當前嚴峻情況雖持續,不過NAND Flash市場中長期呈現成長趨勢的市場觀點目前未發生太大變化。

盡管當前NAND Flash市況相對艱難,但大廠依舊看好NAND Flash市場前景,并持續布局閃存堆疊技術,以圖未來。

目前NAND Flash已經突破200層堆疊大關,存儲廠商正持續發力更高層數。8月9日SK海力士便在2023閃存峰會(Flash Memory Summit 2023)上,首次展示了全球首款321層NAND閃存樣品,效率比上一代238層512Gb提高了59%。SK海力士表示將進一步完善321層NAND閃存,并計劃于2025年上半期開始量產。

除此之外,美光計劃232層之后推出2YY、3XX與4XX等更高層數產品;鎧俠與西數也在積極探索300層以上、400層以上與500層以上的3D NAND技術;三星則計劃2024年推出第九代3D NAND(有望達到280層),2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達到430層),2030年前實現1000層NAND Flash。

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責任編輯:hnmd003

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